Erratum: Carrier photoexcitation from levels in quantum dots to states of the continuum in lasing
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
from linguistics to literature: a linguistic approach to the study of linguistic deviations in the turkish divan of shahriar
chapter i provides an overview of structural linguistics and touches upon the saussurean dichotomies with the final goal of exploring their relevance to the stylistic studies of literature. to provide evidence for the singificance of the study, chapter ii deals with the controversial issue of linguistics and literature, and presents opposing views which, at the same time, have been central to t...
15 صفحه اولthe role of russia in transmission of energy from central asia and caucuses to european union
پس ازفروپاشی شوروی،رشد منابع نفت و گاز، آسیای میانه و قفقاز را در یک بازی ژئوپلتیکی انرژی قرار داده است. با در نظر گرفتن این منابع هیدروکربنی، این منطقه به یک میدانجنگ و رقابت تجاری برای بازی های ژئوپلتیکی قدرت های بزرگ جهانی تبدیل شده است. روسیه منطقه را به عنوان حیات خلوت خود تلقی نموده و علاقمند به حفظ حضورش می باشد تا همانند گذشته گاز طبیعی را به وسیله خط لوله مرکزی دریافت و به عنوان یک واس...
15 صفحه اولIntraband carrier photoexcitation in quantum dot lasers.
We unveil the role of bound-to-continuum photoexcitation of carriers as a relevant process that affects the performance of quantum dot (QD) lasers. We present the response of an InAs/InGaAs QD laser to a sub-band gap pump, showing an unexpected depletion of the emitted photons. We relate this observation with carrier photoexcitation through additional transmission and photocurrent measurements....
متن کاملLasing from colloidal InP/ZnS quantum dots.
High-quality InP/ZnS core-shell nanocrystal quantum dots (NQDs) were synthesized as a heavy-metal-free alternative to the gain media of cadmium-based colloidal nanoparticles. Upon UV excitation, amplified spontaneous emission (ASE) and optical gain were observed, for the first time, in close-packed InP/ZnS core-shell NQDs. The ASE wavelength can be selected by tailoring the nanocrystal size ove...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Semiconductors
سال: 2001
ISSN: 1063-7826,1090-6479
DOI: 10.1134/1.1398701